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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

随着电网直流高压输变电,电动汽车的快速进步,电能转换领域非常重要的核心器件,SIC MOSFET及IGBT等大功率半导体器件的正确评估与参数标定成为芯片开发,器件或模块研发,品质检查,第三方认证,失效分析,FAE 等几乎所有流程都需要对器件的静态耐压,漏电,导通压降,Rds(ON), I-V曲线,饱和导通电流等进行评价。

功率器件静态参数是评价器件性能最关键,也是最基础的流程,满足IGBT器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求,大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV,漏电电流为nA 级;但同时导通电流达到数KA ,导通压降为3V以内,这对于仪器的精度,可靠性,稳定性,安全性都提出了严苛的要求。

力高捷创仪器可以提供满足硅基,碳化硅,氮化镓,甚至前沿半导体研究提供 全电压范围,最大测量电压达15KV ;全电流范围,最大测量电流达8000A 级,同时保证漏电分辨率小于1pA级 ,全部标准化器件适配装置,丰富安全接口和保护装置,确保器件,人员,设备的可靠案例运行。

CREE 静态.jpeg

一、静态参数测量产品


IWATSU CS-3000/5000系列产品

最大测量电压:5000V

最大测量电流: 1500A

漏电电流精度:1pA


Iwatsu-CS_3300.jpg



二、测量参数:


  • Vdss  源漏极最高阻断电压

  • Vge(th) 栅极阀值电压

  • Idss   源漏极漏电电流

  • Igss   栅极漏电

  • Vce(sat) : 饱和导通压降

  • Rds(ON) : 源漏极导通电阻

  • I-V曲线

  • 传输曲线

  • 温度条件下参数曲线

  • 反向恢复二极管正向压降 Vf

  • 反向恢复二极管反向漏电


三、具体方案:

2015 版IWATSU CURVE TRACER 中文样本 2018_页面_01.jpg

2015 版IWATSU CURVE TRACER 中文样本 2018_页面_05.jpg

2015 版IWATSU CURVE TRACER 中文样本 2018_页面_07.jpg2015 版IWATSU CURVE TRACER 中文样本 2018_页面_09.jpg

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