日本IWATSU岩崎中国总代理，SiC半导体器件IV，CV参数，双脉冲动态参数，磁芯损耗BH分析，高压与特高压，脉冲功率电子测试方案集成商，提供IGBT测试仪，SY-8218 B-H分析仪、DS-8058数字示波器，动态参数测试平台，高低温探针台、VITREK耐压、环路/频响分析、脉冲电流探头、高频差分探头、高频罗氏线圈、光隔离探头、交直流电源负载，微弱信号测量仪器等设备服务。

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解决方案

面向高效电力电子应用的先进电感类元器件，功率半导体，微纳电子方向等行业，捷创仪器专业工程师团队结合多年现场工程经验，推出了丰富的行业领先级测量解决方案

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WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

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特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量

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SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试

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软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析

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功率半导体Datasheet 常温与高温静态参数测量方案

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IWATSU-CS3000/5000 系列半导体分析仪 栅极电荷(Qg)测试指南

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2021-05-29 了解更多

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氮化镓（GaN）器件（AlGaN/GaN HEMT）的电流崩塌效应测量方法
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电流崩塌效应是氮化镓（GaN）器件（尤其是AlGaN GaN HEMT）在高压应力下特有的性能退化现象，表现为器件输出电流下降、导通电阻增大，严重影响功率输出和可靠性。

2026-01-14 了解更多
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日本岩通计测IWATSU - 德国PMK - 牛顿N4L- 美国T&M- 日本APOLLOWAVE - 德国 DR HUBERT 中国总代理
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