软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析

WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁

特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量

产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端

SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试

Power Electronic Device 功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)

功率半导体Datasheet 常温与高温静态参数测量方案

功率器件静态参数的测量，可通过IWATSU CS-3000、IWATSU CS-5000和IWATSU CS-8000半导体曲线特性分析仪实现。支持测量器件的DC IV、Pul

IWATSU-CS3000/5000 系列半导体分析仪 栅极电荷(Qg)测试指南

作为电子测试工程师，精准测量功率器件的门极电荷(Qg)对优化开关电源设计和可靠性评估至关重要。本文将系统介绍如何使用 CS 半导体参数分析仪的测试方案完成这一关键测试。

晶圆级微电芯片-晶圆在片参数测试

产品描述：主要应用在半导体 微电子，电子，机电，物理，化学，材料，光电，纳米，微机电 MEMs，生物芯片，航空航天等科学研究领域，以及IC

电动汽车--电池-电驱-电机性能与可靠性测量

测试系统涵盖交流充电桩、直流充电桩（站）、车载充电机（OBC）、DC-DC、电池包、HCU、MCU、电气安规测试等测试内容，适用于电动汽车信号级和功率级测试

Piezo压电超声材料-器件-电机研究

Piezo压电，超声

IWATSU SY-8218\SY-8219 岩崎软磁交流B-H磁芯损耗POWER LOSS分析仪

B-H分析仪 SY-8218的特点1、 实现稳定高精度测量采用标准的校准电阻，压粉铁芯等的铁损极为小的材料也有可能稳定并高精度测量。2、 采集

IWATSU SY-8260系列 SY-8264型 30Mhz B-H分析仪高频磁损耗系统

IWATSU 最新款B-H 分析仪，将于2026年上半年正式对中国市场发布。支持多种频率带宽选项 10hz-1Mhz ,10hz-10Mhz ,10hz-30Mhz完全兼容SY

日本岩崎BH磁损耗分析仪SY-8218&SY-8219配套高低温测试系统SY-320A

SY-330Temperature range : -55°C to 180°C, Sample 4pcs, max Test freq : 10Hz - 3MHz(with SY-8218 mainframe): 10Hz

岩通计测B-H分析仪SY-8218 10Mhz软磁磁芯材料高频损耗及磁饱和

BH分析仪 SY-8218的特点1、 实现稳定高精度测量采用标准的校准电阻，压粉铁芯等的铁损极为小的材料也有可能稳定并高精度测量。2、 采集

IWATSU岩崎BH磁损测试仪配套四象限高频功率放大器SY-5001,SY-5002

IWATSU BH损耗测试仪匹配用功率放大器参数表：Power amplifier HSA4101-IWHSA4101-IW10MHz、±1A peak、±71V peakItemHSA4101-IWFreq

非晶纳米晶带材磁损耗测量-IWATSU B-H分析仪-非晶带材测试系统SY-956

硅钢片等单片形状样品的全自动精确测试。测试频率:10Hz至20Hz适用磁场强度:最大10，000安 米。样品尺寸:单页样品:最小36毫米。 35毫米(宽)

IWATSU SY-962岩崎SY-8218 B-H分析仪软磁直流偏置DC-bias测试电源

B-H Analyzer - DC-bias test systemAutomatic test on power inductor properties with DC biasingSMD Power inductorToro

IWATSU SY-8218/SY-8219 B-H Analyzer - DC-bias +POWER LOSS test system

轻松准确地自动测量直流偏置特性，如功率电感器SMD 功率电感器环形线圈最大直流偏置：30A最纹：±6A测量频率（正弦波）：10kHz 至 3MHz