WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程,满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求,大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV,导通电流达到数KA ,其开关时间因为宽禁
IWATSU SY-8218 高频交流B-H曲线分析仪系统
高频精密全自动线损测量
-研究和开发软磁材料的事实上的标准设备。
精确且准确的软磁铁芯损耗测量
日本岩崎公司的B-H分析仪采用CROSS-POWER方法(IEC62044-3),能够实现精确和高精度的测量,在频谱中嵌入了最小化的相位误差积分和电流检测电阻,并在检测电路中进行补偿,对幅度和相位特性进行完全补偿。1984年的第三代车型现已上市,有助于未来电源管理的前沿发展。

产品性能特征:
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各种类型的软磁材料性能测试类型
可以应用于各种类型,各种形状的软磁材料测试,如铁氧体,坡莫合金,非晶合金,矽钢片,金属磁粉芯,同样适合于各种形状的磁环,EE磁芯,EI磁芯,板,带,膜,及磁粉的测量。
Various types of soft magnetic material property testTypes

全自动测试SY-810 型

铁芯损耗POWER LOSS测量:
开关电源和DC-DC转换器中使用的高频变压器存在漏电流,漏电流随着处理频率的增加而增加。泄漏的原因包括磁滞损耗和涡流损耗。损耗电流产生的热量导致设备温度升高,难以缩小设备尺寸。测量软磁零件的铁芯损耗是将损耗降至最低并进一步减小设备尺寸的最佳解决方案。
B-H 曲线的测量:
磁饱和将是评价磁性材料的重要参数之一。磁饱和可以通过测量B-H曲线来确定。
如果磁性元件在您想要使用的条件下饱和,则很难期望其固有性能。
B-H分析仪是目前唯一能够在从低频到高频的MHz带宽范围内,在各种条件下对软磁材料进行高精度B-H曲线测量的仪器。
磁导率ui测量:
磁饱和将是评价磁性材料的重要参数之一。磁饱和可以通过测量B-H曲线来确定。
如果磁性元件在您想要使用的条件下饱和,则很难期望其固有性能。
B-H分析仪是目前唯一能够在从低频到高频的MHz带宽范围内,在各种条件下对软磁材料进行高精度B-H曲线测量的仪器。
其他配置组成更高效的全自动测试系统
SY-320A温度扫描测试系统 ,非晶带材测试系统和直流偏置测试系统均可通过SY-810 进行远程控制。

Temperature scanner system
非晶带材等测试系统

功率型电感应用需要的高直流叠加测试系统

WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价
功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程,满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求,大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV,导通电流达到数KA ,其开关时间因为宽禁
特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量
产品描述:针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性,以及操作环境相对恶劣的情况,为用户提供多种方案的测试前端
SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试
Power Electronic Device 功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件,评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)
软磁材料及电感器件高频损耗与BH参数分析
如何正确的评价不同材料磁芯满足高频与大电流应用的场景,IWATSU B-H 分析仪系统就是全球此领域最权威,应用范围最广的软磁材料高频交流BH特性测试仪。
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作为电子测试工程师,精准测量功率器件的门极电荷(Qg)对优化开关电源设计和可靠性评估至关重要。本文将系统介绍如何使用 CS 半导体参数分析仪的测试方案完成这一关键测试。
晶圆级微电芯片-晶圆在片参数测试
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电动汽车--电池-电驱-电机性能与可靠性测量
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