PRECISE HCP系列源表HCP100/HCP200/HCP300大电压台式脉冲源表 普赛斯
产品型号:HCP100/HCP200/HCP300 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:纳米材料的特性测试:石墨烯、纳米线有机材料特性测试:电子墨水、印刷电子技术能量与效率特性测试:LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器分立半导体器件的特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT 三极管、MOSFET、SIC等传感器的测试:电阻率、霍尔效应
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PRECISE HCP系列源表HCP100/HCP200/HCP300大电压台式脉冲源表 普赛斯
产品型号:HCP100/HCP200/HCP300 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:纳米材料的特性测试:石墨烯、纳米线有机材料特性测试:电子墨水、印刷电子技术能量与效率特性测试:LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器分立半导体器件的特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT 三极管、MOSFET、SIC等传感器的测试:电阻率、霍尔效应
Cascade DDP450系列 美博 磁吸式探针台定位器
产品型号:DDP450系列 原产地:美国 所属类别:标准手动探针台
产品简介:精密探针坐标位移调整器
FOTRIC 320Q系列手持式热像分析仪323Q,324Q,325Q,326Q
产品型号:326Q 原产地:中国 所属类别:红外热像仪
产品简介:广角型镜头特别适应工业检查与检修等领域,丰富的接口可以与电脑操作软件联机进行高分辨率的图像分析与数据导出。
KEYSIGHT B1505A 10KV-1500A 是德功率半导体参数分析仪 Qg
产品型号:B1505A 原产地:美国 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是一款适合功率器件测试的综合解决方案,具有 sub-pA 至 10 kV/1500 A 的宽测量范围,并可提供精密的 µÙ 导通测量功能。此外,其 10 µs 快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征,并对新功率器件(例如 IGBT )和宽带隙材料(例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(G...
GWINSTEK固纬GSM-20H10数字源表
产品型号:GSM-20H10 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:GSM-20H10提供±210V / ±1.05A / 22W的四象限操作。在第一象限和第三象限,它们作为电源运行,为负载供电。在第二和第四象限,它们作为负载使用,在内部耗散功率。而电压值、电流值和电阻值可以在电源或负载操作期间进行量测,其准确度高达0.012%并且分辨率可达1µV/10pA/10µΩ。
IWATSU CS-3100 半导体参数分析仪 3000V@15A 曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3100/3200/3300 原产地:日本 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zui大峰值电压:3000V,zui大峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数。
IWATSU CS-3300 功率半导体参数分析3000V@1000A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3300 原产地:日本 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量,最大峰值电压3,000V(高电压模式),最大峰值电流1000A(CS-3300大电流模式),所有机型均搭载LEAKAGE模式(光标分辨率1pA),可执行图像数据保存和设置数据保存的USB端口,搭载远程控制专用的LAN接口
Keithley 2510 /2510-AT/2520 SourceMeter光仪器 光学SMU 美国泰克TEKTRONIX
产品型号:2510 /2510-AT/2520 原产地:美国 所属类别:SMU源表
产品简介:通过 Keithley 仪器,可以轻松构建 LIV(光功率-电流-电压)系统,从而经济高效地测试激光二极管模块。2520 脉冲激光二极管测试系统:同步测试系统,为脉冲和连续 LIV 测试提供纯源化和测量功能。TEC SourceMeter SMU、2510 和 2510-AT:确保通过控制其热电冷却器,为激光二极管模块提供严格的温度控制。