晶圆级微电芯片-晶圆在片参数测试

产品描述：主要应用在半导体 微电子，电子，机电，物理，化学，材料，光电，纳米，微机电 MEMs，生物芯片，航空航天等科学研究领域，以及IC

SiC/GaN 碳化硅双脉冲动态参数与动态内阻测试

Power Electronic Device 功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，评价IGBT的一项比较重要且被工程师们大量采用的测试—双脉冲测试(Double Pulse Test)

WBG半导体-碳化硅功率器件静态参数评价

功率器件静态参数与动态参数是评价器件性能最关键的流程，满足器件电压与电流测试条件是对仪器的基本要求，大功率IGBT器件通常关断电压达到数KV，导通电流达到数KA ，其开关时间因为宽禁

Piezo压电超声材料-器件-电机研究

Piezo压电，超声

高能激光装备制造与研究

High energy lasers

特高压--电网高压及特离子特高压信号光隔离测量

产品描述：针对宽禁带半导体所展现出来的高频化,高温环境,高电压,大电流特性，以及操作环境相对恶劣的情况，为用户提供多种方案的测试前端