NGI N2600系列数字源表替代KEITHLEY 4200 直流与脉冲源 恩智
产品型号:N2600 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:N2600系列数字源表是NGI专门针对要求紧密结合源和测量的测试场景而研发的国产化源表。该系列产品集5台仪器(电压源、电流源、IVR测量)功能于一体,能输出超高精度的电压源和电流源并提供测量功能,测量分辨率达6位半;N2600系列产品内置多种功能软件,具备电源输出精度高、响应速度快、信号纯净、纹波噪声低等优点,可...
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NGI N2600系列数字源表替代KEITHLEY 4200 直流与脉冲源 恩智
产品型号:N2600 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:N2600系列数字源表是NGI专门针对要求紧密结合源和测量的测试场景而研发的国产化源表。该系列产品集5台仪器(电压源、电流源、IVR测量)功能于一体,能输出超高精度的电压源和电流源并提供测量功能,测量分辨率达6位半;N2600系列产品内置多种功能软件,具备电源输出精度高、响应速度快、信号纯净、纹波噪声低等优点,可...
TEKTRONIX 4200-SCS KEITHLEY 半导体参数分析仪
产品型号:4200-SCS 原产地:美国 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:美国吉时利KEITHLEY参数分析仪4200-SCS是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。利用9个测量槽和内置低噪声接地单元,您可以根据测试要求或预算限制进行精密配置。
PRECISE HCP系列源表HCP100/HCP200/HCP300大电压台式脉冲源表 普赛斯
产品型号:HCP100/HCP200/HCP300 原产地:中国 所属类别:SMU源表
产品简介:纳米材料的特性测试:石墨烯、纳米线有机材料特性测试:电子墨水、印刷电子技术能量与效率特性测试:LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器分立半导体器件的特性测试:电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT 三极管、MOSFET、SIC等传感器的测试:电阻率、霍尔效应
KEYSIGHT B1505A 10KV-1500A 是德功率半导体参数分析仪 Qg
产品型号:B1505A 原产地:美国 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是一款适合功率器件测试的综合解决方案,具有 sub-pA 至 10 kV/1500 A 的宽测量范围,并可提供精密的 µÙ 导通测量功能。此外,其 10 µs 快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征,并对新功率器件(例如 IGBT )和宽带隙材料(例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(G...
IWATSU CS-3100 半导体参数分析仪 3000V@15A 曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3100/3200/3300 原产地:日本 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zui大峰值电压:3000V,zui大峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数。
Keithley 2510 /2510-AT/2520 SourceMeter光仪器 光学SMU 美国泰克TEKTRONIX
产品型号:2510 /2510-AT/2520 原产地:美国 所属类别:SMU源表
产品简介:通过 Keithley 仪器,可以轻松构建 LIV(光功率-电流-电压)系统,从而经济高效地测试激光二极管模块。2520 脉冲激光二极管测试系统:同步测试系统,为脉冲和连续 LIV 测试提供纯源化和测量功能。TEC SourceMeter SMU、2510 和 2510-AT:确保通过控制其热电冷却器,为激光二极管模块提供严格的温度控制。
IWATSU 半导体参数分析仪 CS-3100/3200/3300 IGBT曲线图示 日本岩通计测
产品型号:CS-3000/3200/3300 原产地:日本 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,最大峰值电压:3000V,最大峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数,。
IWATSU CS-3200 功率半导体参数分析3000V@400A JEDEC曲线图示仪 日本岩崎
产品型号:CS-3200 原产地:日本 所属类别:半导体参数分析仪
产品简介:适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的静态参数特性测量,最大峰值电压3,000V(高电压模式),最大峰值电流400A(CS-3200大电流模式),所有机型均搭载LEAKAGE模式(光标分辨率1pA),可执行图像数据保存和设置数据保存的USB端口,搭载远程控制专用的LAN接口