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产品信息

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产品信息
TLP-3010C pulse generator 先进传输线脉冲 （TLP） 技术的 ESD 测量

TLP-3010C pulse generator 先进传输线脉冲 （TLP） 技术的 ESD 测量

产品型号：TLP-3010C      原产地：德国

所属类别：TLP 传输线脉冲

产品简介：

High Power Pulse Instruments GmbH （HPPI） 是一家基于先进传输线脉冲 （TLP） 技术的 ESD 测量设备供应商。

产品特点
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应用说明
功能配置
资源下载

高功率脉冲仪器 （HPPI） 的成立旨在为高电流和高压时域中的半导体器件和电路表征提供先进的测量系统。


我们的产品能够快速、精确地测量脉冲工作模式下的大电流 I-V 特性、器件的导通/关断瞬态特性、击穿效应、电荷恢复效应（如反向恢复）、安全工作区 （SOA） 和 ESD 测量。


我们产品的开发直接受到半导体行业和通信、工业和汽车应用系统制造商的要求的推动。

TLP-12010C.jpg


产品概述

  1. TLP-3010C 脉冲发生器（带可选脉冲宽度扩展器 TLP-3011C）是半导体行业广泛使用的全功能集 30A 主力

  2. CMTI-3010C 是一款高压 50 Ω脉冲发生器，针对数字隔离器的静态和动态共模传输干扰 （CMTI） 评估进行了优化，符合 IEC-60747-5-5 和 IEC-60747-17 标准，CMTI 压摆率高达 15 000 V/ns

  3. TLP-4010C（带可选脉冲宽度扩展器 TLP-3011C）的输出电流增加了 30%

  4. CMTI-4010C 是一款高压 50 Ω脉冲发生器，针对数字隔离器的静态和动态共模传输干扰 （CMTI） 评估进行了优化，符合 IEC-60747-5-5 和 IEC-60747-17 标准，CMTI 压摆率高达 20 000 V/ns

  5. TLP-8010A（带可选脉冲宽度扩展器 TLP-8012A5）具有 80A 的极高输出电流，包括以经济成本手动设置高达 500ns 的脉冲宽度

  6. CMTI-8010A 是一款高压 50 Ω脉冲发生器，针对数字隔离器的静态和动态共模传输干扰 （CMTI） 评估进行了优化，符合 IEC-60747-5-5 和 IEC-60747-17 标准，CMTI 压摆率高达 10 000 V/ns

  7. CMTI-8010C 提供增强的功能和高达 20 000 V/ns 的超快 CMTI 压摆率

  8. TLP-8010C（带可选的 TLP-8012A5 和/或 TLP-3011C 扩展器）是久经考验且广泛使用的 80A TLP/VF-TLP/HMM 测试系统，它将 TLP-8010A 和 TLP-4010C 功能集组合到一个系统中

  9. TLP-12010C（带可选的 TLP-12012A6 和/或 TLP-3011C 扩展器）是最先进的 120A TLP/VF-TLP/HMM 测试系统，它将 TLP-12010A 和 TLP-4010C 功能集组合到一个系统中


提及HPPI TLP设备的文章

S. Selmo、R. Cecchini、S. Cecchi、C. Wiemer、M. Fanciulli、E. Rotunno、L. Lazzarini、M. Rigato、D. Pogany、A. Lugstein 和 M. Longo，“超薄 In3Sb1Te2 纳米线的低功耗相变存储器开关”，《应用物理快报》，第 109 卷，第 21 期，第 213 103 页，2016 年。

J. Kuzmik、C. Fleury、A. Adikimenakis、D. Gregušová、M. Ťapajna、E. Dobročka、Š. Haščík、M. Kučera、R. Kúdela、M. Androulidaki、D. Pogany 和 A. Georgakilas，“氮化镓上生长的 InN 中的电流传导机制和电击穿”，应用物理快报，第 110 卷，第 23 期，第 232 103 页，2017 年。

N. A. Thomson、Y. Xiu 和 E. Rosenbaum，“系统级 ESD 引起的软故障”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 17 卷，第 1 期，第 90–98 页，2017 年 3 月。DOI： 10.1109/TDMR.2017.2667712.

M. Keel 和 E. Rosenbaum，“使用自适应有源偏置调节对高速收发器进行 ESD 自我保护”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 17 卷，第 1 期，第 113–120 页，2017 年 3 月。DOI： 10.1109/TDMR.2016.2628839.

M. Keel 和 E. Rosenbaum，“用于 25 Gb/s 有线接收器前端的 Cdm 可靠 T 线圈技术”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 16 卷，第 4 期，第 513–520 页，2016 年 12 月。DOI： 10.1109/TDMR.2016.2594281.

R. Mertens 和 E. Rosenbaum，“cmos scr 紧凑模型的物理基础”，IEEE Transactions on Electron Devices，第 63 卷，第 1 期，第 296–302 页，2016 年 1 月。DOI： 10.1109/TED.2015.2502951

C. Reiman、N. Thomson、Y. Xiu、R. Mertens 和 E. Rosenbaum，“提取种子模型的实用方法”，2015 年第 37 届电气过应力/静电放电研讨会 （EOS/ESD），2015 年 9 月，第 1-10 页。DOI： 10.1109/EOSESD.2015.7314789.

K. Meng、R. Mertens 和 E. Rosenbaum，“用于电路级 ESD 仿真的瞬态松弛分段线性模型”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 15 卷，第 3 期，第 464–466 页，2015 年 9 月。DOI： 10.1109/TDMR.2015.2466436.

R. Mertens、N. Thomson、Y. Xiu 和 E. Rosenbaum，“有源钳位对上电 ESD 的响应分析：电源完整性和性能权衡”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 15 卷，第 3 期，第 263–271 页，2015 年 9 月。DOI： 10.1109/TDMR.2015.2464222.

Z. Chen、R. Mertens、C. Reiman 和 E. Rosenbaum，“改进的 ggscr 布局以减少过冲”，2015 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会，2015 年 4 月，3F.2.1–3F.2.8。DOI： 10.1109/IRPS.2015.7112720.

N. Thomson、Y. Xiu、R. Mertens、M. Keel 和 E. Rosenbaum，“用于系统级 ESD 研究的定制测试芯片”，载于 2014 年电气过应力/静电放电研讨会论文集，2014 年 9 月，第 1-10 页。

Yang Xiu、N. Thomson、R. Mertens 和 E. Rosenbaum，“A mechanism for logic fluson induced by power-on esd”，载于 2014 年电气过应力/静电放电研讨会论文集，2014 年 9 月，第 1-10 页。

R. Mertens、N. Thomson、Y. Xiu 和 E. Rosenbaum，“有源钳位对上电 ESD 的响应理论及其对电源完整性的影响”，载于 2014 年电气过应力/静电放电研讨会论文集，2014 年 9 月，第 1-10 页。

K. Meng 和 E. Rosenbaum，“在 ESD 条件下工作的多指 MOSFET 的布局感知、分布式、紧凑模型”，2013 年第 35 届电气过应力/静电放电研讨会，2013 年 9 月，第 1-8 页。

R. Mertens 和 E. Rosenbaum，“在基于 scr 的 ESD 保护电路中分离 scr 和触发电路相关过冲”，2013 年第 35 届电气过应力/静电放电研讨会，2013 年 9 月，第 1-8 页。

——, “A physics-based compact model for scr devices used in esd protection circuits”，2013 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会 （IRPS），2013 年 4 月，2B.2.1–2B.2.7。DOI： 10.1109/IRPS.2013.6531947.

N. Jack 和 E. Rosenbaum，“ficdm 和晶圆级 cdm 测试方法的比较”，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，第 13 卷，第 2 期，第 379–387 页，2013 年 6 月。DOI： 10.1109/TDMR.2013.2262606.

N. Jack 和 E. Rosenbaum，“比较 ficdm 和晶圆级 cdm 测试方法：苹果与橙子？2012 年电气过应力/静电放电研讨会论文集，2012 年 9 月，第 1-9 页。

W. Simbürger、D. Johnsson 和 M. Stecher，“高电流 TLP 表征：半导体器件和 ESD 保护解决方案开发的有效工具”，ARMMS 射频和微波学会，2012 年 11 月。


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