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SiC碳化硅功率器件静态与动态特性
发布日期:2020-2-13   点击次数:27
有着优异特性的碳化硅(SiC)

有着优异特性的碳化硅 降低电能损耗

降低电能损耗

碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外,由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一,所以电阻也大幅降低,从而进一步减少电能损耗。同时,SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。

有着优异特性的碳化硅 高温操作

高温操作

在温度升高时,电子会向导带转移,漏电流增加,导致无法正常运行。碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍,即使在高温时漏电流的增加也很小,可以确保高温下运行。

有着优异特性的碳化硅 高速的开关操作

高速的开关操作

碳化硅在利用强度很高的绝缘击穿电场降低电能损耗的同时,也容易实现耐高压,所以可以利用单晶硅无法使用的肖特基势垒二极管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子累加,最终帮助实现高速的开关动作。

有着优异特性的碳化硅 优异的散热效果

优异的散热效果

碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍,有效提高了散热能力。

Featured Products
家电用 600V/15A・25A 超小型全SiC DIPIPM的优点

  • 搭载SiC-MOSFET,能够降低通态阻抗,与已有产品*相比,功率损耗约减少70%
  • 反向恢复电流变小,降低系统运行噪音
  • 集成丰富功能,如自举电路、温度输出等
  • 采用独有的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片,门极驱动无需负压关断
  • 确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性,直接更换可提高系统性能
  • *
    : 本公司产超小型DIPIPM系列

内部模块图

内部模块图

功率损耗比较

功率损耗比较

Featured Products
PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点

  • 二极管处搭载SiC-SBD芯片,开关管处搭载CSTBT™结构的第7代IGBT硅片
  • 与已有产品*相比,功率损耗约减少25%
  • 短路保护方式变更有助于减小光伏逆变器体积
  •  

内部模块图

内部模块图

功率损耗比较

功率损耗比较

Featured Products
家电用 超小型混合/全SiC DIPPFC的优点

  • 搭载SiC-MOSFET,能够满足高频化应用(最高40kHz)要求,电抗器、散热器等周边配套部件的小型化有助于降低成本
  • 内置双升压斩波电路,能够实现交错并联控制
  • 与超小型DIPIPM相同封装,与逆变电路共用散热器时,无需额外调整两者的高度,安装更加方便

内部模块图(全SiC DIPPFC)

内部模块图(全SiC  DIPPFCTM)

功率损耗比较

功率损耗比较

Featured Products
工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点

  • 内置驱动电路、电流检测电路和保护电路
  • 功率损耗比已有产品*大幅降低
  • 与已有产品*兼容封装,可替换
  •  

主要规格

Rating 1200V/75A 6in1
Mounted
Functions
  • Built-in drive circuit
  • Under-voltage protection
  • Short-circuit protection
  • Over-temperature protection
    (Monitoring IGBT chip surface)

内部模块图

内部模块图

功率损耗比较

功率损耗比较

Featured Products
工业用 1200V/400A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点

  • 与已有产品*相比,功率损耗约减少70%
  • 采用低电感封装,充分发挥SiC器件性能
  • 与已有产品*相比,封装体积大幅减小,安装面积约减少60%,有助于减小变流器的体积和重量
  •  

产品阵容

Applications Rated voltage Reted current Circuit configration Package size (D×W)
Industrial equipment 1200V 400A 4-in-1 92.3×121.7mm
800A 2-in-1

与已有产品的封装比较

与已有产品的封装比较

功率损耗比较 1200V/800A 全SiC功率模块

功率损耗比较 1200V/800A全SiC 功率模块

New Products
工业用 1200V/600A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点

  • 内置短路检测电路,能够将短路故障信息输出给控制系统
  • 与已有产品*相比,功率损耗约减少70%*
  • 采用低电感封装,充分发挥SiC器件性能
  •  
 

功率损耗对比 1200V/800A 全SiC功率模块

功率损耗对比 1200V/800A全SiC  功率模块

Featured Products
高频用 混合SiC功率模块的优点

  • 与已有产品*相比,功率损耗约减少40%,设备效率更高
  • 有助于小型化轻量化,低电感封装有助于减小浪涌电压
  • 与已有产品*兼容封装,可替换
  •  
 
 

Featured Products
铁路牵引变流器用 混合SiC功率模块的优点

  • 与已有产品*相比,功率损耗减少30%
  • 适合铁路应用的高可靠设计
  • 与已有产品*兼容封装,可替换
  •  

主要规格

Module Max.operating temperature 150℃
Isolation voltage 4000Vrms
Si-IGBT
@150℃
Collector-emitter saturation voltage 2.3V
Switching loss
850V/1200V
turn-on 140mJ
turn-off 390mJ
SiC-SBD
@150℃
Emitter-collector voltage 2.3V
Capacitive charge 9.0μC

内部模块图

内部模块图
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