捷创力高仪器有限公司
业务电话:0731-85260926
技术支持:0731-85260926
公司传真:0731-85263946
网络支持:QQ-2582961985
E-mail: yujin.wu@miko.com.cn
公司地址:湖南省长沙市雨花区韶山南路亚商国际大厦A座2524室
 
应用解决方案 你当前的位置:首页 - 应用解决方案
Sic/GaN ON-WAFER 静态参数评价
Sic/GaN ON-WAFER 静态参数评价
产品描述:

宽禁带半导体材料是被称为第三代半导体材料。

     宽禁带半导体材料(Eg大于或等于2.3eV)被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点,其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景,非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。


   宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电子器件的高压、高频、高功率工作性能,在军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。

  LED之外,宽禁带半导体功率器件开始崭露头角:目前GaN和SiC最大的应用领域为LED行业,形成了100亿美元的市场;除此之外,近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始走向商业化,我们认为未来两年GaN和SiC功率器件市场将开始快速发展,潜在市场容量超过300亿美元,未来将在军事设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si和GaAs功率器件。

  GaN是微波器件的首选,在军事领域将大展拳脚:GaN适用于高频大功率应用,是微波器件最为理想的材料,其功率密度是现有GaAs器件的10倍,将成为下一代雷达技术的标准,美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达开始换装GaN产品,军用市场将在未来几年推动GaN微波器件的快速发展。

  电力电子领域宽禁带半导体能够降低50%的电力损耗,SiC适用于1200V以上高压应用,GaN适用于中低压高频应用:SiC单晶制备工艺相对成熟,同质外延易于制备纵向结构的器件提高耐压性能,商业化的SiC器件耐压在600~1200V,适用于风力发电、铁路机车、电网等大功率应用。

  GaN异质外延缺陷密度较大,目前只能制备横向结构的器件,耐压性能提升较为困难,但是GaN-on-Si成本较低,加之LED行业存在大量MOCVD外延设备可以共用,未来有望快速降低成本,广泛应用于UPS、光伏逆变器、电动汽车等领域。


碳化硅基/氮化镓基宽禁带器件相对于传统硅基器件在使用电压、开关频率、适应温度方面都有明显的性能跃升。




力高捷创能够提供的功率半导体器件(功率模块和WAFER 芯片级)的测试范围。


相关产品:

  

  可以提供与 KEYSIGHT B1505/B1506,KEITHLEY 4200,IWATSU CS-3000系列等半导体评价仪器 配合进行ON-WAFER 测试。

  APOLLOWAVE 公司是 Keysight Technologies solutions partner  

  KEYSIGHT B1505与APOLLOWAVE 探针台


>> 手动探针台
>> 功率半导体器件特性图示仪
>> 桌上型小型探针台
>> 半自动功率探针台
>> RF 微波探针台
>> 高低温探针台
>> 真空探针台系统
>> 定制型精密探针卡
>> 矢量网络分析仪 VNA
>> 高功率半导体探针台系统
关于我们产品信息应用解决方案技术支持与售后服务重点客户联系我们

 英国牛顿科技N4L -  日本岩通计测IWATSU - 英国LA - 德国PMK - 日本APOLLOWAVE - 德国 DR HUBERT  中国总代理商  

页面版权所有 长沙力高捷创仪器有限公司 《中华人民共和国电信与信息服务业务经营许可证》 编号:湘ICP备19020595号  

地址:湖南省 长沙市雨花区韶山南路亚商国际大厦A座2524室   联系电话: 0731-85260926  传真:0731-85263946

CASCADE射频微波探针|APOLLOWAVE半自动功率探针台探针卡|VITREK 安规/高压表|PEM CWT探头|PSM1700频率响应|PEARSON电流探头|IWATSU 曲线图示仪|PMK高压探头




收缩